МОДЕЛЬ ВИБУХОВОГО НАКОПИЧЕННЯ ДЕФЕКТІВ ПРИ ЛАЗЕРНОМУ ПОШКОДЖЕННІ КРИСТАЛІВ БОРАТІВ

Анотація

У даній роботі модель руйнування напівпровідникових матеріалів під дією багатоімпульсногно лазерного опромінення розширено на прозорі діелектричні кристали боратів, що належать до основних нелінійно-оптичних матеріалів. Механізм генерації точкових дефектів у даному випадку можна вважати термофлуктуаційним, що призводить до вибухового накопичення дефектів. Приведено математичний опис механізму утворення дефектів. Показано, що при багатоімпульсному лазерному руйнуванні виникає взаємодія точкового дефекту з полем деформації, яка підсилюється самими дефектами. Це призводить до зниження енергії утворення дефекту, що викликає появу додатного зворотного зв’язку в процесі лазерно-індукованої генерації дефектів.